更新時間：2024-02-26
sil認證(zheng)壓力(li)變送(song)器(qi)在(zai)電路設(she)計上(shang)采用以微處理器(qi)為核心并輔(fu)助以先進的(de)數字隔離(li)技術的(de)模(mo)塊(kuai)化(hua)設(she)計，使儀表(biao)具有*的(de)抗干擾(rao)性(xing)及穩(wen)定性(xing)，同時通過內置溫(wen)度傳感(gan)器(qi)對變送(song)器(qi)進行(xing)補償，提高了測(ce)量精(jing)度，降低了溫(wen)度漂移(yi)，具有長(chang)期(qi)穩(wen)定性(xing)好，可(ke)靠性(xing)高，自診斷(duan)能力(li)強等特點。
防爆壓力變送器sil認證概述Summary
單晶硅壓力變(bian)送器(qi)在(zai)電(dian)路設計上(shang)采用(yong)以(yi)(yi)微(wei)處理(li)器(qi)為核心并輔助以(yi)(yi)先進(jin)的數(shu)字(zi)隔離技術的模塊化設計，使(shi)儀表具有*的抗(kang)干擾(rao)性及穩(wen)定(ding)性，同時通過(guo)內(nei)置溫度傳(chuan)感器(qi)對變(bian)送器(qi)進(jin)行補償，提高了測量精度，降低了溫度漂移，具有長(chang)期穩(wen)定(ding)性好，可(ke)靠(kao)性高，自診斷能力強等特點。在(zai)結構上(shang)，用(yong)戶(hu)很方(fang)便的通過(guo)HART通訊手操器(qi)對變(bian)送器(qi)進(jin)行標(biao)定(ding)、設置和組態。
防爆壓力變送器sil認證基本參數Parameter
| 類型 | （單晶(jing)硅壓力變送器）參數 |
| 測量介質 | 氣體、蒸汽、液體 |
| 精確度 | ±0.05%、±0.075%、±0.1%（包(bao)括從(cong)零點開始的線性、回差和(he)重復性） |
| 穩定性 | ±0.1%/3年 |
| 環境溫度影響 | ≤±0.04%URL/10℃ |
| 靜壓影響 | ±0.05%/10MPa |
| 電源 | 10.5～36V DC（本安(an)防(fang)爆10～26V DC） |
| 電源影響 | ±0.001% /10V，可(ke)忽(hu)略不計 |
| 環境溫度 | -25℃~85℃ |
| 測量介質溫度 | -40℃~120℃ |
| 貯藏溫度 | -40℃~85℃ |
| 顯示類型 | LCD |
| 顯示器顯示模塊溫度 | -20℃~70℃ |
儀表選型Selection
| （單(dan)晶硅壓力變(bian)送(song)器）型號 |
（單晶硅壓力變(bian)送器）說明 | ||||
| 3051TG | -口 | /口 | /口 | /口 | |
| 儀表分類 | Y |
|
|
| 壓力 |
| C | 差壓 | ||||
|
儀表類型 | 0 | 標準型 | |||
| 1 | 單平法蘭型 | ||||
| 2 | 雙平法蘭型 | ||||
| 3 | 單插法蘭型 | ||||
| 4 | 雙插法蘭型 | ||||
| 5 | 一平一插法蘭型 | ||||
|
量程范圍 | 0 | 0-0.06～0.3kPa | |||
| 1 | 0-0.25～1.5kPa | ||||
| 2 | 0-1.2～10kPa | ||||
| 3 | 0-6～40kPa | ||||
| 4 | 0-30～180kPa | ||||
| 5 | 0-160～1000kPa | ||||
| 6 | 0-400～2500kPa | ||||
| 7 | 0-1600～8000kPa | ||||
| 8 | 0-4000～25000kPa | ||||
| 9 | 0-7000～40000kPa | ||||
| 輸出方式 | H | 帶hart協議 | |||
| T | 4-20mA輸出 | ||||
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